Insulated gate bipolar transistor device, method for producing semiconductor device, and method for producing insulated gate bipolar transistor device

WO2018105749 Art A1 14. Juni 2018

Anmelder: Kyushu Institute of Technology, Mitsubishi Electric Corporation, Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018105749
Aktenzeichen: EP17877430
Anmeldetag: 9. Dezember 2017
Veröffentlichung: 14. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/336H01L21/82H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kyushu Institute of Technology
Mitsubishi Electric Corporation
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyushu Institute of Technology

Das Kyushu Institute of Technology ist eine japanische staatliche Technische Universität mit Standorten in Kitakyushu und Iizuka. Das Patentportfolio verteilt sich über Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Software und Medizintechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2005 bis 2025 betreffen unter anderem Potentialdifferenzmessgeräte und Farbstoff-Peptid-Komplexe.

265 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

37.729 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.642 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von