Inn nanocolumn epitaxial wafer grown on si substrate and fabrication method for wafer

WO2018107713 Art A1 21. Juni 2018

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018107713
Aktenzeichen: EP17880639
Anmeldetag: 26. Juni 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/20H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von