Method for manufacturing oxide semiconductor device
WO2018109996
Art A1
21. Juni 2018
Anmelder: V Technology Co., Ltd., Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018109996
- Aktenzeichen
- EP17882192
- Anmeldetag
- 4. September 2017
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/20H01L21/268H01L21/28H01L21/324H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- V Technology Co., Ltd.
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
V Technology
V Technology ist ein japanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für Displays und Halbleiter. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Optik und Fototechnik, ergänzt um Fertigungs- und Messtechnik. Anmeldungen laufen von 2005 bis in die Gegenwart.
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🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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