Photoactive layer formed by silicon quantum dot precise control and activation, and method for producing same

WO2018111037 Art A1 21. Juni 2018

Anmelder: Korea Research Institute of Standards and Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018111037
Aktenzeichen: EP17881312
Anmeldetag: 15. Dezember 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0352H01L31/18H01L31/036H01L33/04H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute of Standards and Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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