Multi-Layer Charge Storage Region in Non-Volatile Memory
WO2018111364
Art A1
21. Juni 2018
Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018111364
- Aktenzeichen
- EP17768646
- Anmeldetag
- 10. September 2017
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SanDisk Technologies LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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