Systems and methods for providing shunt cancellation of parasitic components in a plasma reactor

WO2018111598 Art A1 21. Juni 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018111598
Aktenzeichen: EP17881175
Anmeldetag: 4. Dezember 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32H03H7/38

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von