Method for providing a low-k spacer

WO2018111627 Art A1 21. Juni 2018

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018111627
Aktenzeichen: EP17881266
Anmeldetag: 5. Dezember 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/28H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von