Method of forming conformal epitaxial semiconductor cladding material over a fin field effect transistor (finfet) device

WO2018111859 Art A1 21. Juni 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018111859
Aktenzeichen: EP17881273
Anmeldetag: 12. Dezember 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/78H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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