Reflective x-ray source structure of patterned carbon nanotube cathode

WO2018112718 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology (SIAT), Chinese Academy of Sciences (CAS) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018112718
Aktenzeichen: EP16924847
Anmeldetag: 19. Dezember 2016
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01J35/06H01J35/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology (SIAT), Chinese Academy of Sciences (CAS)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology (siat), Chinese Academy of Sciences (cas)

Die Shenzhen Institutes of Advanced Technology sind eine Forschungseinrichtung der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Sitz in Shenzhen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Medizintechnik, ergänzt durch Messtechnik und Halbleitertechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2016 bis 2023.

273 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von