Broadband efficient gan-based led chip based on surface plasma effect and manufacturing method therefor

WO2018112985 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018112985
Aktenzeichen: EP16924437
Anmeldetag: 25. Dezember 2016
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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