Verfahren zum Bilden eines Halbleitersubstrats, Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements, Halbleitersubstrat und Halbleiterbauelement

WO2018115129 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018115129
Aktenzeichen: EP17829633
Anmeldetag: 20. Dezember 2017
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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