Method for producing silicon single crystal

WO2018116637 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018116637
Aktenzeichen: EP17885403
Anmeldetag: 30. Oktober 2017
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/30

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUMCO Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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