Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2018117061 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018117061
Aktenzeichen: EP17884602
Anmeldetag: 18. Dezember 2017
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/265H01L21/336H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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