Through electrode substrate, semiconductor device and method for producing through electrode substrate

WO2018117111 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: Dai Nippon Printing Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018117111
Aktenzeichen
EP17885318
Anmeldetag
19. Dezember 2017
Veröffentlichung
28. Juni 2018
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/12H05K1/11H05K3/28
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Dai Nippon Printing Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Dai Nippon Printing

Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.

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