Through electrode substrate, semiconductor device and method for producing through electrode substrate
WO2018117111
Art A1
28. Juni 2018
Anmelder: Dai Nippon Printing Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018117111
- Aktenzeichen
- EP17885318
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H05K1/11H05K3/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Dai Nippon Printing Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Dai Nippon Printing
Japanisches Unternehmen der Druckindustrie mit Sitz in Tokio, das sich über klassische Druckerzeugnisse hinaus in Elektronikmaterialien, Displaykomponenten und Verpackungslösungen diversifiziert hat.
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Vertreten von
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