Radiation Detector Comprising Transistor Formed On Silicon Carbide Substrate

WO2018117485 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018117485
Aktenzeichen: EP17884948
Anmeldetag: 5. Dezember 2017
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/115G01T1/02G01T1/161G01T1/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University

Die University-Industry Cooperation Group of Kyung Hee University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Kyung Hee University in Seoul. Das Portfolio verteilt sich auf Medizintechnik und Gesundheit, Nachrichtentechnik und Telekommunikation sowie Halbleitertechnik und Landwirtschaft. Anmeldungen laufen seit 2004 bis in die Gegenwart.

401 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von