Designer Atomic Layer Etching

WO2018118655 Art A1 28. Juni 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018118655
Aktenzeichen: EP17883789
Anmeldetag: 14. Dezember 2017
Veröffentlichung: 28. Juni 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/02H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von