Gan-based enhanced hemt device based on si substrate and manufacturing method therefor

WO2018120363 Art A1 5. Juli 2018

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018120363
Aktenzeichen: EP17886046
Anmeldetag: 15. Februar 2017
Veröffentlichung: 5. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von