Wiring structure and production method therefor, sputtering target material, and method for preventing oxidation

WO2018123955 Art A1 5. Juli 2018

Anmelder: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018123955
Aktenzeichen: EP17887792
Anmeldetag: 25. Dezember 2017
Veröffentlichung: 5. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205C22C9/00C22C9/05C23C14/14C23C14/34H01L21/28H01L21/285H01L21/318H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsui Mining & Smelting

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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