Techniques for forming dual-strain fins for co-integrated n-mos and p-mos devices

WO2018125120 Art A1 5. Juli 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018125120
Aktenzeichen: EP16925288
Anmeldetag: 29. Dezember 2016
Veröffentlichung: 5. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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