Package substrate with high-density interconnect layer having pillar and via connections for fan out scaling
WO2018125184
Art A1
5. Juli 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018125184
- Aktenzeichen
- EP16925637
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/498H01L23/00H01L23/522H01L23/538H01L23/525
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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