Spin Transfer Torque Memory Devices Having Heusler Magnetic Tunnel Junctions

WO2018125196 Art A1 5. Juli 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018125196
Aktenzeichen: EP16926017
Anmeldetag: 30. Dezember 2016
Veröffentlichung: 5. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/10H01L43/02H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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