Ambipolar layer based access transistors for memory applications and methods of fabrication
WO2018125206
Art A1
5. Juli 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018125206
- Aktenzeichen
- EP16926018
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/73H01L29/66H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
8.816 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.