Continuous single crystal growth of graphene

WO2018125591 Art A1 5. Juli 2018

Anmelder: UT-Battelle, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018125591
Aktenzeichen: EP17886756
Anmeldetag: 14. Dezember 2017
Veröffentlichung: 5. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/18C30B29/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: UT-Battelle, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 UT-Battelle

UT-Battelle ist der Betreiber des Oak Ridge National Laboratory in den USA, ein Gemeinschaftsunternehmen der University of Tennessee und des Battelle Memorial Institute. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Metallurgie und Werkstoffe ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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