Silicon single crystal pulling condition calculation program, silicon single crystal hot zone improvement method, and silicon single crystal growing method

WO2018128046 Art A1 12. Juli 2018

Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018128046
Aktenzeichen: EP17890268
Anmeldetag: 7. Dezember 2017
Veröffentlichung: 12. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMCO Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

658 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von