Single crystal manufacturing method and single crystal pulling device
WO2018128051
Art A1
12. Juli 2018
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018128051
- Aktenzeichen
- EP17890109
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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