Semiconductor reactor and method for forming coating layer on metal base material for semiconductor reactor

WO2018128527 Art A1 12. Juli 2018

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018128527
Aktenzeichen: EP18736604
Anmeldetag: 9. Januar 2018
Veröffentlichung: 12. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/02H05H1/46H01L21/56H01L21/288

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

709 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von