Apparatuses and methods for a memory device with dual common data i/o lines
WO2018128778
Art A1
12. Juli 2018
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018128778
- Aktenzeichen
- EP17889622
- Anmeldetag
- 15. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/4093G11C11/4074G11C11/4076G11C11/408G11C11/4091G11C11/4096G11C11/4097
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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