Apparatuses and methods for a memory device with dual common data i/o lines

WO2018128778 Art A1 12. Juli 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018128778
Aktenzeichen
EP17889622
Anmeldetag
15. Dezember 2017
Veröffentlichung
12. Juli 2018
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/4093G11C11/4074G11C11/4076G11C11/408G11C11/4091G11C11/4096G11C11/4097
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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