Method for manufacturing magnetic tunnel junction element and inductively coupled plasma processing device

WO2018131215 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Hitachi High-Tech Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018131215
Aktenzeichen: EP17890876
Anmeldetag: 21. September 2017
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23F4/00H01L21/302H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Tech Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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