Semiconductor crystal substrate, infrared detection device, optical semiconductor device, thermoelectric conversion element, method for manufacturing semiconductor crystal substrate, and method for manufacturing infrared detection device

WO2018131494 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018131494
Aktenzeichen: EP17891310
Anmeldetag: 27. Dezember 2017
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/16H01L21/203H01L27/144H01L31/10H01L33/30H01L35/18H01L35/26H01S5/343

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Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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