Cathode with improved rf power efficiency for semiconductor processing equipment with rf plasma

WO2018132149 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018132149
Aktenzeichen: EP17891335
Anmeldetag: 30. Oktober 2017
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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