Memory cells, arrays of two transistor-one capacitor memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry

WO2018132250 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018132250
Aktenzeichen: EP17891126
Anmeldetag: 22. Dezember 2017
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von