A memory cell, an array of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor with the array comprising rows of access lines and columns of digit lines, a 2t-1c memory cell, and methods of forming an array of capacitors and access transistors there-above

WO2018132257 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018132257
Aktenzeichen: EP17891573
Anmeldetag: 26. Dezember 2017
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/311H01L27/11507H01L27/11514H01L49/02H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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