Methods and apparatus for low temperature silicon nitride films

WO2018132568 Art A1 19. Juli 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018132568
Aktenzeichen: EP18738661
Anmeldetag: 11. Januar 2018
Veröffentlichung: 19. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/3065H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von