Method for preparing metal nitride film with adjustable metal content and reactor

WO2018133269 Art A1 26. Juli 2018

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018133269
Aktenzeichen: EP17893268
Anmeldetag: 18. Mai 2017
Veröffentlichung: 26. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34C23C16/455H01L21/28H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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