Magneto-resistive effect element, magnetic memory, and method for manufacturing magneto-resistive effect element
WO2018134929
Art A1
26. Juli 2018
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018134929
- Aktenzeichen
- EP17893387
- Anmeldetag
- 18. Januar 2017
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8246H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.