Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber

WO2018136121 Art A1 26. Juli 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018136121
Aktenzeichen: EP17893273
Anmeldetag: 20. Oktober 2017
Veröffentlichung: 26. Juli 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01J37/32H05H1/46H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von