Semiconductor device

WO2018139557 Art A1 2. August 2018

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018139557
Aktenzeichen: EP18745395
Anmeldetag: 25. Januar 2018
Veröffentlichung: 2. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L21/322H01L21/329H01L21/336H01L29/06H01L29/47H01L29/78H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von