Integrated structures, nand memory arrays, and methods of forming integrated structures
WO2018140948
Art A1
2. August 2018
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018140948
- Aktenzeichen
- EP18745388
- Anmeldetag
- 30. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 2. August 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11556H01L27/11519H01L27/11524H01L27/11529
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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