Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body, and sputtering target

WO2018143005 Art A1 9. August 2018

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018143005
Aktenzeichen: EP18748444
Anmeldetag: 23. Januar 2018
Veröffentlichung: 9. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/01C23C14/08H01B1/08H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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