Capacitor structure with an extended dielectric layer and method of forming a capacitor structure
WO2018148241
Art A1
16. August 2018
Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018148241
- Aktenzeichen
- EP18706112
- Anmeldetag
- 7. Februar 2018
- Veröffentlichung
- 16. August 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G4/33H01G4/10H01G4/12H01L49/02H01L49/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Microchip Technology Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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Fachgebiete
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