Insulated gate semiconductor device drive circuit

WO2018150737 Art A1 23. August 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018150737
Aktenzeichen: EP17896725
Anmeldetag: 25. Dezember 2017
Veröffentlichung: 23. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H02M1/08H02M7/48H03K17/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik

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