Tin Oxide Films in Semiconductor Device Manufacturing

WO2018152115 Art A1 23. August 2018

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018152115
Aktenzeichen: EP18755068
Anmeldetag: 13. Februar 2018
Veröffentlichung: 23. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/768H01L21/306H01L21/027H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von