Method for determining defect region of single crystal silicon wafer

WO2018155126 Art A1 30. August 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018155126
Aktenzeichen: EP18757542
Anmeldetag: 1. Februar 2018
Veröffentlichung: 30. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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