Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body and sputtering target

WO2018155301 Art A1 30. August 2018

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018155301
Aktenzeichen: EP18757426
Anmeldetag: 15. Februar 2018
Veröffentlichung: 30. August 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/363C04B35/453C23C14/08C23C14/34H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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