Conductive bridge semiconductor component and manufacturing method therefor

WO2018157279 Art A1 7. September 2018

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018157279
Aktenzeichen: EP17899102
Anmeldetag: 28. Februar 2017
Veröffentlichung: 7. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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