Method for manufacturing silicon single crystal ingot and silicon single crystal growing apparatus

WO2018159109 Art A1 7. September 2018

Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018159109
Aktenzeichen: EP18761196
Anmeldetag: 11. Januar 2018
Veröffentlichung: 7. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMCO Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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