Production method for nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor substrate

WO2018159646 Art A1 7. September 2018

Anmelder: Sciocs Company Limited, Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018159646
Aktenzeichen: EP18761360
Anmeldetag: 28. Februar 2018
Veröffentlichung: 7. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sciocs Company Limited
Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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