High voltage field effect transistor with laterally extended gate dielectric and method of making thereof

WO2018160239 Art A1 7. September 2018

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018160239
Aktenzeichen: EP17809128
Anmeldetag: 20. November 2017
Veröffentlichung: 7. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/08H01L29/10H01L29/78H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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