Trench structures for three-dimensional memory devices

WO2018161832 Art A1 13. September 2018

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018161832
Aktenzeichen: EP18763606
Anmeldetag: 1. März 2018
Veröffentlichung: 13. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L21/77H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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