Ferromagnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

WO2018163575 Art A1 13. September 2018

Anmelder: Sony Semiconductor Solutions Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018163575
Aktenzeichen: EP17899354
Anmeldetag: 26. Dezember 2017
Veröffentlichung: 13. September 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01F10/14H01F10/16H01L21/8239H01L27/105H01L29/82H01L43/10H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sony Semiconductor Solutions Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Semiconductor Solutions

Japanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Atsugi, eine Tochtergesellschaft der Sony Group. Das Unternehmen entwickelt Bildsensoren, CMOS-Sensoren und Halbleiterlösungen für Kameras, Smartphones, Automobile und industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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